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华为5G芯片都靠它?是依靠在香港服务器154.223.68.1做节点台积电7nn EUV 工艺正式商用

发布时间:2019-10-12

香港服务器154.223.68.1国际带宽线路台积电在近日宣布,这家承担了相当多芯片制造工作的半导体工厂,成了业界首个可将N7+工艺商用的代工厂。首批采用台积电N7+工艺制造的芯片,也将从近日开始向客户交付。

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台积电7nm EUV正式商用
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N7+工艺便是采用EUV(极紫外光刻)的7nm制造工艺,根据台积电的说法,7nm EUV相比此前的7nm(N7)工艺,把晶体管密度提升了15%~20%,同时也顺利降低了芯片功耗。
台积电表示,7nm EUV也是有史以来量产最快的芯片制造工艺,香港服务器154.223.68.1国际带宽线路在今年第二季度开始量产的时候,产能就已经达到量产了一年多的7nm工艺的水平。相比至今没有传出代工芯片量产消息的三星7nm EUV,台积电这次走在了前面。

台积电还小小地展望了计划于2020年第一季度开始试产、年底前量产的6nm工艺,同样使用了EUV的台积电6nm工艺在设计上完全兼容当前的7nm EUV,有望让7nm EUV芯片的改进产品更快速地推向市场。

突破制造极限,EUV不仅仅是后缀那么简单
正如此前展望5nm工艺时所说的那样,集成电路的密度随着制程工艺的改进而提升。无论是哪家厂商设计应用于哪种设备,芯片工艺改进都在让设备进步,其中关键的指标便是晶体管之间的间隙。

从安卓手机进入大众视野时的60nm,到4G手机开始普及时的28nm,再到现在高端手机上普及的7nm,智能手机提供的表现越发强大,我们一直在见证着芯片工艺提升带来的性能和续航革命。

5G和AI应用是当前的热门话题,为了让这些新技术更好地在手机上服务用户,更应该让重要的硬件芯片,借助工艺提升得到新能力。芯片设计厂商,以及台积电、三星这样的制造工厂也是这样想的,然而他们发现了一个事实:工艺提升已经遭遇瓶颈。
半导体硅是最常见的芯片制造原料,工厂将冶炼切割后的硅晶圆放置于光刻机中,然后用光透过印有电路设计图的掩膜进行蚀刻,最后打磨切割封装就得到了芯片。芯片制造多年来惯用控制光波长来提升制程,这个方法到了nm级别却开始失灵。
以5nm为例,传统DUV(深紫外光刻)技术下蚀刻出的极低晶体管间隙导致了难以控制的漏电问题,使得芯片性能损失比起进步来说得不偿失。经过多种尝试,依旧没法有效解决遭遇的工程难题,工艺提升的步伐似乎要就此停下来。

这个时候厂商们找到了从80年代起就提上议程的EUV(极紫外光刻),相比现在广泛使用的DUV,波长仅为13.5nm的EUV更能帮助工艺提升。台积电、三星、英特尔等多家芯片制造厂共同投资数十亿美元后,ASML公司带来了首个能投入商用的EUV光刻机。